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公司介紹
>上海源象化學有限公司創立于2021年,是一家專業從事提供和開發用于化學氣相沉積和原子層沉積薄膜材料所需的特種電子化學品—即 CVD 和 ALD 前驅體源,以支持相關科研院校在半導體、顯示、納米、新能源、催化等領域的學術研究。公司在蘇州建設有2000平方米的研發中心和多條生產實驗線,產品種類豐富。擁有完善的檢測條件包括大型潔凈室和ICP-MS等。團隊主要由具有國際和國內著名高校教育背景的博士和碩士組成,從業經驗豐富。公司產品種類豐富,可以提供文獻專利中已經使用過的(目前常用的大多數)前驅體源,也可以提供新型前驅體源的設計制備服務。
>我司的核心業務是提供研發級的先進的 CVD 和 ALD 前驅體源,用于制備學術研究和企業研發用的金屬/氧化物/氮化物/碳化物/硅化物/硫化物薄膜。我們的檢測條件能夠分析PPb級的各種雜質,以確保所交付的產品適用于特定的應用。同時我們支持客戶定制的分子的合成和純化工作。
>我司可提供定制合成的前驅體源種類豐富,分子結構通常為配合物。其核心元素包括硅以及所有穩定的金屬元素,具體分子結構詳見產品列表
應用領域

【半導體微納加工】
隨著集成電路工藝技術的不斷提高,晶體管的特征尺寸及刻蝕溝槽不斷減小,溝槽及其側壁的鍍膜技術面臨嚴峻的挑戰,目前常用的物理氣相沉積(PVD)及化學氣相沉積( CVD )工藝已經無法滿足極小尺寸下良好的臺階覆蓋要求,因此能夠控制納米級別厚度的高質量超薄膜層制備的ALD技術成為未來發展的趨勢。ALD 技術可以大面積沉積均勻無孔的超薄膜,在亞納米尺度上精確控制膜厚,并且在高深寬比、形狀復雜的結構中具有優異的保形性。ALD 沉積薄膜的溫度窗口很寬,反應對生長溫度并不敏感,可以適應不同溫度環境下的薄膜制備。ALD在半導體先進制程中主要的應用包括金屬柵、柵介質層和互連線擴散阻擋層加工工藝三個方面。發展至今,ALD 已經成為應對半導體先進制程器件技術小型化的要求的重要技術,在先進制程領域有著廣泛且重要的應用。

【多相催化】
利用ALD能夠獲得結構清晰的催化劑,通過原子尺度的加工技術,可以實現對催化劑尺度、組成、孔結構和分散情況的精準控制,能夠快速實現單因素實驗的設計,深入認識界面催化作用本質。現階段,在催化劑界面調控方面,ALD 已經發展出包覆法、超薄修飾法、選擇性 ALD 、模板輔助 ALD 和模板-犧牲層輔助 ALD 等多種策略,能夠獲得具有核殼、倒載金屬、氧化物阱限域金屬、多孔三明治、氧化物管多重限域、管套管式多界面和空間分離多界面等多種結構。ALD 技術在催化領域的應用可以促進催化機理的研究與高性能催化劑的開發,最終推動石油化工、生物催化等相關領域的發展。

【超級電容】
超級電容器由于功率密度高,循環壽命長,工作溫度范圍寬,安全穩定等特點,被認為是替代傳統化石能源的高效能量轉換和存儲設備,與鋰電池等儲能手段相互補充。目前能量密度低的瓶頸限制其工業化應用。在開發新的超級電容器電極材料以提高其能量密度.納米結構電極材料的研究加速了超級電容器的發展,相比塊狀材料,納米材料具有更高的比表面積,能存儲更高的能量,且小尺寸顆粒可以有效緩解充放電過程中電極的膨脹和收縮,防止電極材料粉化,提高循環穩定性。ALD 技術具有自限制、自飽和以及優異的三維共形性和大面積的均勻性,能夠在各種復雜的表面上進行沉積,且厚度精準可控,因而在超級電容器領域有很大的應用前景。

【光伏太陽能】
太陽能電池的背鈍化技術能夠有效提高電池的效率。在目前已有的硅基體高效電池技術中,氧化鋁背鈍化太陽電池將提升電池效率的工藝移至電池背面,因此其與其他的高效電池技術及新的提高電池效率的制造工藝有非常好的兼容性,可以與其他高效技術同時整合在硅太陽能電池中。根據目前的研究進展,ALD 技術制備的薄膜質量高、均勻性好、鈍化效果佳,成為背鈍化技術發展的主流趨勢。另外,在最新的薄膜太陽能電池領域,ALD 鍍膜技術可以成為部分主要活性薄膜的生產工藝,也可以為鈣鈦礦薄膜等柔性光伏組件提供良好的水氧阻隔封裝。

【鋰電池隔膜材料】
目前在新能源乘用車領域,動力電池的主流是三元材料鋰電池。 “三元材料”是指鎳鈷錳酸鋰NCM正極材料。鎳、鈷、錳三種金屬元素按照不同的配比不同,形成不同種類的三元材料。通過提高鎳含量,可以延長續航里程,但是材料的穩定性也會變差,易燃易爆炸,這是三元鋰電池安全隱患的根源。原子層沉積可以通過使用特殊材料在粉末狀的錳、鈷、鎳等正極材料表面均勻鍍膜,形成只有幾納米厚度的“核-殼”結構層,使屬性活躍的高鎳材料“安靜”下來,不再容易分解或與其他物質發生反應,從而提高其安全性。此外、由于正極材料粉末鍍膜后,減少了與其他物質反應所產生的損耗,讓電池續航更接近其理論值。同時,由于材料更穩定等因素,允許的最大充電電流也相應變大,使得汽車的充電速度也可大幅度提高。

【OLED柔性屏隔膜】
OLED是對水和氧的防護比較弱的有機材料。為了保護OLED,制造商會在OLED之上鋪上許多層的薄膜,減少水和氧的侵蝕以延長使用壽命和維持性能。ALD技術可以制備原子薄膜層,MLD(分子層沉積)技術可以形成有機材料分子層,兩者結合就可以形成多層屏障,保護OLED,使之免受水和氧的侵蝕,即使在低溫下也可以形成。與現有的CVD方法相比,引進ALD技術在屏幕生產過程中有一些特別的優勢,例如它可以減少雜質,形成厚度相同的高質量薄膜阻隔層,保護效果明顯增強。除此之外,ALD 技術還可以制備的薄膜種類更加繁多,選擇性更大,這也是它的一個優勢。

【先進材料表面改性】
ALD 技術是一種從底部向上的制備薄膜涂層方法。該技術是依靠連續的、自限和表面控制的氣相化學反應而進行的。期間連續的原子層會以周期方式沉積在表面上,直到達到所需的膜厚度。這種成膜機制可以生產出無裂紋、無缺陷和無氣孔的致密材料,并且該方法還可以在低溫下進行聚合物和其他敏感材料的涂覆。ALD 的表面改性特性可以應用于醫療器械、珠寶加工等領域。特殊設計的ALD膜具有超薄性、生物相容性和生物活性,可應用在制備外科植入物上從而可以提高植入物與骨骼的粘附,不僅加快了愈合過程,還可以保護患者免受金屬離子從植入物泄漏到體內的威脅。ALD技術在醫療穿戴和可植入傳感器空間這一領域具有很大的發展前景。

【光學器件】
3D光學元件鍍膜時,面臨的挑戰是采用簡單的方式高均勻性地涂覆沉積鍍膜。用于光學鍍膜的常用技術包括磁控濺射、蒸發、電子束蒸發(EBE)和離子束濺射(IBS), 所有這些技術均稱為視線法。這會導致厚度分布和陰影效果不均勻。ALD 克服了這些限制條件,并證明了其能夠有效應對高精度無針孔薄膜的挑戰,不僅大規模實現了均勻性,而且在高縱橫比結構上實現共形涂覆。目前,ALD 技術已達到極高的可靠性,使其成為批量生產關鍵光學涂層的絕佳替代品。此外,這種光學涂層也可以用于珠寶首飾加工行業,為ALD技術的發展開拓了一個方向。
業務范圍
我們的目標
- 我司的核心業務是提供研發級的先進的CVD和ALD前驅體源,用于制備學術研究和企業研發用的金屬/氧化物/氮化物/碳化物/硅化物/硫化物薄膜。我們的檢測條件能夠分析PPb級的各種雜質,以確保所交付的產品適用于特定的應用。同時我們支持客戶定制的分子的合成和純化工作。
- 我們致力于成為國內沉積材料細分領域主要的、可靠的綜合供應商。我們的使命是在戰略型電子材料本土化的進程中發揮關鍵作用,并進一步使新興技術在全球范圍得到創新和長期發展。
- 我們是一家以客戶為導向的公司,致力于為客戶提供優質高純ALD/CVD前驅體源以及相關服務。
- 源象擁有多種高端檢測方法,ICP-MS、核磁、紅外、液相色譜、飽和蒸氣壓-TGA測定儀器,可以保障產品質量并提供完整的物性數據。
- 我們是一家以客戶為導向的公司,致力于為客戶提供優質高純ALD/CVD前驅體源以及相關服務。
提供高純度電子化學品
我們的服務
>我司提供上百種常用ALD和CVD前驅體產品,能供應從克級到公斤級規模的多種規格,產品純度最高可達6.5N,并支持為客戶定制合成。
>針對客戶實際需求,我司提供鋼瓶的定制、清洗、灌裝等服務。同時提供ICP-MS等先進的材料表征服務,能夠對產品和鋼瓶進行ppb級別的純度分析。配備氦質譜檢漏儀,保證所有出貨的鋼瓶氣密性良好。
- 擁有先進的合成實驗室和中試研發線,能供應克級到公斤級規模的CVD和ALD前驅體源,并支持為客戶定制合成。
- 擁有化學實驗室和小批量生產線,部署了先進的實驗設備、檢測設備來完成客戶的各種需求
- 提供鋼瓶的定制、清洗、灌裝等服務,并提供定制化的鋼瓶液位測量解決方案。配備氦質譜檢漏儀,保證所有出貨的鋼瓶氣密性良好。
- 更優質的服務
- 更優秀的產品
- 更專業的支持
- 更豐富的經驗


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